【微矽電子-創法說會重點內容備忘錄】20260320

1. 微矽電子-創營運摘要

• 2025 全年營運穩健成長：微矽電子-創 (8162) 2025 年全年營收達 12.74 億元，年增 20%；毛利率 25%，年增 5 個百分點；稅後淨利 1.08 億元，EPS 為 1.57 元。成長主要受惠於 PC/NB 市場回溫，以及伺服器、HPC、DDR5、散熱風扇、無人機與機器人等應用帶動。
• 2025Q4 表現受季節性及客戶調整影響：2025Q4 營收為 2.88 億元，季減 17%，EPS 為 0.04 元。下滑原因包含傳統淡季、部分客戶因美國關稅影響提前拉貨、氮化鎵 (GaN) 主力客戶轉型調整，以及 DDR5 相關 IC 受 DRAM 缺貨影響。
• 2026 展望樂觀，多項新業務發酵：公司預期 2026 年在 PMIC、MOSFET、GaN 三大核心業務帶動下，業績可望持續成長。新業務如晶圓正面金屬鍍膜 (FSM)、矽電容 (Si-Cap) 後段製程、功率模組 (Power Module) 測試及 Taiko Wafer BGBM 新製程，將成為新的成長動能。
• 資本支出擴大，產能利用率回升：2026 年資本支出預計為 3.8 億元，年增約 50%，主要用於擴充新業務及 MOSFET 測試產能。目前產能利用率約七成，預期 2026Q2 將會優於 Q1。
• 擬轉一般板上市：董事會已通過從創新板轉一般板上市的計畫，待 5 月 28 日股東常會決議，若通過預計最快於 2026 年底前完成轉板。

2. 微矽電子-創主要業務與產品組合

• 核心業務：公司深耕半導體後段封測領域 39 年，以電源與節能為核心，專注於功率半導體利基市場。提供從測試、薄化到封裝的一站式整合服務，為國內電源管理 IC (PMIC)、MOSFET、氮化鎵 (GaN) 晶圓測試服務的最大供應商。公司擁有竹南、竹東兩座自有廠房。
• 主要營業項目：
  • 半導體測試 (營收佔比 72%)：包含晶圓測試 (CP) 與成品測試 (FT)。2025 年營收成長 23%。
  • 晶圓薄化 (營收佔比 21%)：包含晶圓背面研磨與金屬鍍膜 (BGBM) 及晶圓正面金屬鍍膜 (FSM)。2025 年營收成長 11%。
  • 半導體封裝 (營收佔比 7%)：包含晶圓切割與 WLCSP-DPS 封裝。2025 年營收成長 17%。
• 產品製程組合：
  • 電源管理 IC 測試 (營收佔比 51%)：2025 年營收成長 21%。
  • MOSFET 晶圓薄化與測試 (營收佔比 33%)：2025 年營收成長 19%。
  • 第三代半導體測試 (營收佔比 9%)：以 GaN 測試為主，SiC 測試佔小部分。2025 年營收成長 17%。
  • 半導體封裝 (營收佔比 7%)：2025 年營收成長 17%。

3. 微矽電子-創財務表現

• 2025Q4 關鍵財務數據：
  • 營收：2.88 億元 (季減 17%，年減 2%)
  • 毛利率：17% (季減 11 個百分點)
  • 營業利益：-0.01 億元
  • 稅後淨利：0.03 億元
  • EPS：0.04 元
• 2025 全年度關鍵財務數據：
  • 營收：12.74 億元 (年增 20%)
  • 毛利率：25% (年增 5 個百分點)
  • 營業利益：1.26 億元
  • 稅後淨利：1.08 億元
  • EPS：1.57 元
• 財務趨勢：公司營運自 2023 年谷底後，已連續兩年 (2024、2025) 實現雙位數營收成長，毛利率與 EPS 亦逐年回升。2025 年擬配發現金股利 1.5 元。
• 挑戰與應對：2025Q4 獲利受傳統淡季、設備使用率下滑及貴金屬價格上漲影響。公司已於 2026 年開始調整代工價格以反映成本。

4. 微矽電子-創市場與產品發展動態

• 市場趨勢：全球 PMIC、MOSFET、GaN/SiC 及矽電容市場皆呈現穩定成長趨勢，其中 GaN 功率元件市場年複合成長率預估高達 30.5%，潛力巨大。
• 氮化鎵 (GaN) 應用擴展：GaN 的應用已從快速充電器擴展至無人機、機器人、AI 伺服器、資料中心及低軌衛星等高階領域。
  • AI 資料中心：隨著算力提升，功耗與散熱問題日益嚴重，800V 高壓直流 (HVDC) 架構成為新主流，大幅提升對 GaN 與 SiC 的需求。NVIDIA 公布的半導體合作夥伴中，多家為微矽電子客戶。
• 碳化矽 (SiC) 應用：主要應用於電動車 (車載充電器、逆變器) 及再生能源 (太陽能、儲能系統)，市場需求隨 ESG 趨勢持續成長。
• 矽電容 (Si-Cap) 後段製程切入：矽電容具備體積小、高頻特性佳、可靠性高等優勢，是推動 AI 算力與先進封裝的關鍵技術。微矽電子專注於獨立型矽電容 (IPD) 的後段晶圓測試與 DPS 封裝，應用於光通訊模組、AI 伺服器主板等領域，預計 2026 下半年進入小量量產。
• 晶圓正面金屬鍍膜 (FSM)：此技術用於高功率、高電流 MOSFET，以銅片焊接取代傳統打線，可大幅降低導通電阻，提升能源效率。主要應用於 AI 伺服器電源架構中負載端的降壓轉換，2026 年已開始小量量產。

5. 微矽電子-創營運策略與未來發展

• 長期成長計畫：公司持續投入研發與擴充產能，以掌握市場趨勢。2026 年四大新業務佈局為主要成長引擎：
  1. 功率模組 (Power Module) 測試：切入 AI 伺服器 VRM (電壓調節模組) 的成品測試與 Burn-in 測試。無塵室擴建預計 Q2 完成，Q3 開始量產。
  2. Taiko Wafer BGBM 新製程：預計 Q3 導入，可支援 50 微米 (µm) 超薄晶圓的全自動化生產，滿足車用及高階應用需求。
  3. 矽電容 (Si-Cap) 後段製程：客戶驗證進展順利，預計下半年開始貢獻營收。
  4. FSM (晶圓正面金屬鍍膜)：已完成驗證並進入小量量產。
• 競爭優勢：
  • 提供一站式整合服務 (測試、薄化、封裝)，簡化客戶供應鏈管理。
  • 在 PMIC、MOSFET、GaN 等功率半導體測試領域具備市場領先地位與技術經驗。
• 市場機會：
  • 臺積電 2027 年退出 GaN 市場，預期將引發關廠前的投片潮，帶來大量測試需求。
  • 安世半導體 (Nexperia) 轉單效應逐漸發酵，帶動 MOSFET 客戶需求上升。

6. 微矽電子-創展望與指引

• 整體展望：公司對 2026 年營運抱持樂觀態度，預期在 PMIC、MOSFET、GaN 等既有業務需求帶動下，加上 FSM、矽電容、功率模組等新業務開始貢獻，全年業績可望持續成長。
• 短期指引：2026Q1 為傳統淡季，產能利用率約七成。展望 Q2，營運表現肯定會更好，產能利用率預計將超過七成。
• 長期驅動力：AI 資料中心電力架構升級所帶動的電源管理 IC 與功率元件需求，將是公司的長期結構性成長引擎。

7. 微矽電子-創 Q&A 重點

Q：目前的產能利用率及 2026 年的資本支出規劃？

A：目前產能利用率約在七成左右。2026 年資本支出預估為 3.8 億元，相較 2025 年的 2.5 億元成長約 50%。主要用途包括：功率模組所需的新無塵室與設備、矽電容產能擴充，以及因應市場需求熱絡的 MOSFET 測試產能擴充。

Q：公司是否有轉上市的計畫？

A：董事會已於 3 月 11 日通過從創新板轉為一般板上市的議案。此案將提報至 5 月 28 日的股東常會討論，若獲通過，預計將在 2026 年底前完成轉板掛牌。

Q：2026Q1 產能利用率是否回升？Q2 會更好嗎？

A：Q1 是傳統淡季，且受農曆新年長假影響，工作天數較少。目前從 3 月開始已看到市場加溫，因此 Q2 肯定會比 Q1 更好，產能利用率預期會超過七成。

Q：能否詳細說明 FSM、矽電容 (Si-Cap)、功率模組 (Power Module) 與 Taiko Wafer BGBM 的應用？

A：

• FSM (晶圓正面金屬鍍膜)：主要應用於高電流、高功率的 MOSFET。在晶圓正面的焊墊上鍍金屬，讓封裝時能用銅片 (Copper Clip) 焊接取代傳統的打線，可大幅降低導通電阻，提升能源效率。
• Si-Cap (矽電容)：公司做的是獨立型矽電容 (IPD)，而非整合在 Interposer 內的 IPC。因其高頻特性佳、可靠度高，非常適合用在光通訊模組、AI 伺服器主板或貼在 GPU 基板下方，以穩定電源並抑制高頻雜訊。
• Power Module (功率模組)：公司切入的是用於 AI 伺服器負載端的 VRM (電壓調節模組) 成品測試與 Burn-in 測試。這類模組將 MOSFET、驅動 IC 及電感等被動元件整合封裝，功率密度極高，因此對測試與可靠性要求也更高。測試需在 Class 10000 等級的無塵室進行。
• Taiko Wafer BGBM：這是一種先進的晶圓背面研磨製程，可支援 50 微米 (µm) 等級的超薄晶圓全自動化生產，確保高品質與穩定性，主要針對車用與高階應用。

免責聲明

本報告內容使用 AI 技術根據各家公司法說會之影音內容進行摘要整理。本文件的目標是協助讀者快速理解各公司法說會之重點，包括營運狀況、財務表現及未來展望，內容僅供參考，不構成任何投資建議。

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