【個股分析】微矽電子-創：功率半導體一站式封測專家，矽電容與高功率電源模組新專案即將開花結果【個股分析】微矽電子-創：功率半導體一站式封測專家，矽電容與高功率電源模組新專案即將開花結果

核心觀點

• 利基市場龍頭地位與自主工程壁壘：微矽電子為台灣 PMIC、MOSFET、氮化鎵（GaN）晶圓測試服務的主要供應商，客戶皆為台灣 PMIC 與 MOSFET 一線大廠，其核心治具探針卡自製率達 95%，提升新產品量產開發的工程自主性與時效性。
• 測試、薄化、封裝一條龍服務，提升客戶便利性：微矽提供 MOSFET 晶圓正面金屬鍍膜（FSM）、背面研磨及金屬鍍膜（BGBM）、晶圓測試、成品測試與封裝一條龍服務能力，能有效避免厚度在 100μm 以下的超薄晶圓在跨廠運送、拆裝包裝中的破碎風險，並與中游晶圓代工廠緊密合作開發，成為晶圓廠的指定測試廠商。
• 受惠 AI 電力架構升級，GaN/SiC 與功率元件進入結構性成長：AI 伺服器升級至 800V HVDC 電源架構，推升 MOSFET、PMIC 與 GaN/SiC 用量顯著增加，帶動高壓測試與薄化需求。
• 高毛利新專案蓄勢待發，2027 年產能持續擴增：微矽切入 GPU 電源模組 FT、Burn-in 測試新業務，及整合型被動元件矽電容（Si-Cap）後段測試與切割製程，隨美系與日系大客戶放量，產能於 2027 年將再翻倍成長。
• 2027 年營收、獲利創新高：受惠 MOSFET 需求帶動產能滿載，以及矽電容、電源模組測試新業務放量，預估 2027 年營收 27 億元（YoY+37.41%），毛利率 30.88%，稅後淨利 2.96 億元，EPS 為 4.10 元（YoY+91.08%）。公司過去在興櫃市場 PE 區間落在 20~60X，目前已轉上創新板（上市），以目前股價計算 2027 年 Forward PE 19X，對標同業本益比落在 20~40X，目前股價尚屬合理。

深耕 PMIC、MOSFET 市場，微矽電子打造一條龍後段測試、封裝服務

微矽電子股份有限公司（市：8162）成立於 1987 年，2024 年於創新板上市。公司自成立初期業務以晶圓切割生產線起家，並於 1998 年切入晶圓測試、探針卡製造與晶圓背面研磨，2001 年切入電源管理 IC（PMIC）測試，2006 年跨入 MOSFET 測試；2014 年切入氮化鎵（GaN）測試與切割，2018 年跨入化合物半導體晶圓背面研磨與金屬鍍膜（BGBM）；2019 年切入碳化矽（SiC）與矽電容（Si-Cap）測試及封裝技術，並於 2023 年正式跨入晶圓正面金屬鍍膜（FSM）業務，建構出目前完整的功率半導體中後段加工、測試服務項目。

微矽電子主要服務產品線：

1. 電源管理 IC 測試：主要進行類比 IC、邏輯 IC、MCU、快