台股分析半導體【個股分析】暉盛-創：乾式電漿技術打破濕製程物理極限，卡位先進封裝與 ABF 技術領域核心觀點 孔徑與線寬持續微縮下，乾式電漿可精準控制蝕刻範圍：傳統濕製程使用藥水蝕刻，受藥水表面張力限制，難以深入 5~7µm 直徑的盲孔底部洗淨膠渣與蝕刻；暉盛電漿技術具備奈米級控制精度，製程誤差控制在 1µm 以下，可在高階細線路製程下精準蝕刻、清洗、去膠渣。 專利技術攻克大面積放電瓶頸，有望打入 FOPLP 與大尺寸載板製程：高階晶片封裝朝大尺寸載板與 FOPLP 演進，傳統濕製程易因流速不均2026.08.18德信吉盈帳戶Wayne Chang
