產業分析Wayne Chang2026 年先進封裝產業深度報告:台積電 SoIC 引領全新世代 3D 先進封裝,開啟新一波算力革命初次發布:2026.06.20最後更新:2026.06.21 11:16觀點 單一晶片在電晶體密度、訊號傳輸效率、功耗與散熱等三大瓶頸下,3D 垂直堆疊已成為晶片效能的唯一解方。AMD 已在伺服器晶片 MI300 率先採用此技術量產,NVIDIA 則於 Rubin Ultra/Feynman 世代跟進,以維持其 AI晶片霸主地位;蘋果則因邊緣算力需求提升,且降低裝置能耗與發熱下,旗下 M 系列晶片將採此技術。三間廠商將於 2026 年起陸續導入晶片,將支撐台積電 SoIC 月產能於 2026~2028 年由 1.6 萬片擴張至 7.8 萬片。 SoIC 的加工精度與潔淨度要求已比照前段晶圓製造標準,使具備晶圓代工能力的台積電、Intel 在 3D 封裝佔絕對優勢;傳統後段封裝廠受限於設備精度與無塵室等級,難以跨越這道技術高牆。 台灣供應鏈將分兩波受惠:
2026 年先進封裝產業深度報告:台積電 SoIC 製程全解析觀點 隨 AI 晶片算力提升,透過水平排列的 CoWoS 會產生積熱與電力損耗,且 CoWoS 仍有光罩面積的限制,導致晶片無法無限水平擴張,在 AI 伺服器晶片功率持續提升下,熱與電功耗為首要解決的問題。SoIC 的 3D 堆疊能大幅縮短傳輸距離,在維持高性能的同時顯著降低功耗並改善散熱,故 SoIC 已成為 AI 伺服器追求性能與功耗下的必然選擇。 SoIC 負責打造摩天大樓,讓算力高的晶片直2026.05.27德信吉盈帳戶Wayne Chang
解析台積電下一世代 2.5D 封裝技術 CoPoS 與供應鏈的機會:2026 年先進封裝產業深度報告(續)從台積電技術藍圖看出未來先進封裝的三條主要發展路徑 台積電在 2025 年技術論壇上表示,將透過先進製程微縮、先進封裝技術升級、矽光子導入等三大方面演進,以提升晶片效能: 1. 先進製程微縮:在 2 奈米如期於 2025 年量產後,A16 製程預計於 2027 年推出,並同時導入超級電軌(SPR, Super Power Rail)的晶背供電技術,透過晶背供電的方式減少電阻、提升晶片正面線路密度。2026.03.30富果研究部Wayne Chang
2026 年先進封裝產業深度報告:台積電 CoWoS-L 迎來爆發,AI 算力重塑臺灣設備供應鏈成長趨勢觀點: 1. CoWoS 製程為目前全球 AI 晶片最主流的標準封裝技術:為因應 AI 晶片面積急遽擴張與高功耗需求,台積電的先進封裝重心正全面從傳統的 CoWoS-S(全矽中介層)轉向 CoWoS-L(局部矽互連)製程。 2. 先進封裝技術持續演進,將帶動設備供應鏈產品升級循環。 3. 台積電 2026Q1 法說會表示,未來 3 年資本支出將持續提升,並首次給出跨年度的指引,加速封裝廠產能建置,2026.03.17富果研究部Wayne Chang