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Wayne ChangWayne Chang

解析台積電下一世代 2.5D 封裝技術 CoPoS 與供應鏈的機會:2026 年先進封裝產業深度報告(續)

初次發布:2026.03.30
最後更新:2026.06.18 14:59

從台積電技術藍圖看出未來先進封裝的三條主要發展路徑

台積電在 2025 年技術論壇上表示,將透過先進製程微縮、先進封裝技術升級、矽光子導入等三大方面演進,以提升晶片效能:

1. 先進製程微縮:在 2 奈米如期於 2025 年量產後,A16 製程預計於 2027 年推出,並同時導入超級電軌(SPR, Super Power Rail)的晶背供電技術,透過晶背供電的方式減少電阻、提升晶片正面線路密度。相關細節可參考富果文章:晶背供電(BSPDN)解析:提升晶片效能的關鍵技術,A14 製程預計於 2028 年推出,並導入混合鍵合(Hybrid Bonding)技術。

             資料來源:富果整理

2. 先進封裝技術升級:持續升級 CoWoS 技術,並推動 CoPoS(以玻璃基板取代矽中介層)、SoIC(晶片垂直堆疊)等新封裝技術,以降低封裝成本、提升晶片效能。 

3. 矽光子(Silicon Photonics)導入:藉由台積電 COUPE 技術(緊湊型通用光子引擎,Compact Universal Photonic Engine),透過 SoIC-X 封裝將光引擎(PIC, Photonic Integrated Circuit)與電子晶片(EIC, Electrical Integrated Circuit)垂直堆疊、整合,以解決傳統銅線傳輸的電力損耗。

台積電技術預估量產時程

資料來源:台積電、富果

本篇為系列文章的第二篇,第一篇可參考:2026 年先進封裝產業深度報告:台積電 CoWoS-L 迎來爆發,AI 算力重塑臺灣設備供應鏈成長趨勢,說明台積電以 3DFabric 平台整合自行研發的 2.5D 封裝的 CoWoS 技術,以及3D 封裝的 SoIC 技術,確立了未來先進封裝的兩大發展主軸,本篇將先聚焦 2.5D 封裝的關鍵升級——以玻璃基板取代矽中介層的 CoPoS 技術,深入拆解其技術原理、製造挑戰與供應鏈機會;下一篇再進入 3D 堆疊的 SoIC 技術與矽光子整合。

      資料來源:富果整理

兩種封裝方式差異為何?如下圖所示,簡單來說,2.5D 封裝為「晶片水平排列」,晶片間溝通透過下方的「中介層」(Interposer)做為溝通

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    觀點 單一晶片在電晶體密度、訊號傳輸效率、功耗與散熱等三大瓶頸下,3D 垂直堆疊已成為晶片效能的唯一解方。AMD 已在伺服器晶片 MI300 率先採用此技術量產,NVIDIA 則於 Rubin Ultra/Feynman 世代跟進,以維持其 AI晶片霸主地位;蘋果則因邊緣算力需求提升,且降低裝置能耗與發熱下,旗下 M 系列晶片將採此技術。三間廠商將於 2026 年起陸續導入晶片,將支撐台積電 So

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    觀點 隨 AI 晶片算力提升,透過水平排列的 CoWoS 會產生積熱與電力損耗,且 CoWoS 仍有光罩面積的限制,導致晶片無法無限水平擴張,在 AI 伺服器晶片功率持續提升下,熱與電功耗為首要解決的問題。SoIC 的 3D 堆疊能大幅縮短傳輸距離,在維持高性能的同時顯著降低功耗並改善散熱,故 SoIC 已成為 AI 伺服器追求性能與功耗下的必然選擇。 SoIC 負責打造摩天大樓,讓算力高的晶片直

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    觀點: 1. CoWoS 製程為目前全球 AI 晶片最主流的標準封裝技術:為因應 AI 晶片面積急遽擴張與高功耗需求,台積電的先進封裝重心正全面從傳統的 CoWoS-S(全矽中介層)轉向 CoWoS-L(局部矽互連)製程。 2. 先進封裝技術持續演進,將帶動設備供應鏈產品升級循環。 3. 台積電 2026Q1 法說會表示,未來 3 年資本支出將持續提升,並首次給出跨年度的指引,加速封裝廠產能建置,

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Wayne Chang政大經濟系/產業研究員

對未來科技充滿想像,喜愛認識各行各業的枝微末節

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