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法說會備忘錄
富果研究部
法說會助理法說會助理

【愛普*法說會重點內容備忘錄】未來展望趨勢 20260512

初次發布:2026.05.12
最後更新:2026.05.19 12:37

1. 愛普*營運摘要

愛普*(6531) 於 2026 年第一季法說會公布營運成果。在 IoTRAM™ 各應用領域需求持續增強,以及 S-SiCap™ 進入量產的雙重帶動下,單季合併營收達新臺幣 21 億元,季增 12%,年增 115%,創下歷史新高。毛利率為 46%,受高毛利 VHM™ 產品線佔比下降影響,較上季減少 4 個百分點。歸屬於母公司業主之稅後淨利為 6.8 億元,每股盈餘 (EPS) 為 4.15 元。

公司重大發展方面,董事會決議變更 GDR 資金運用計畫,由原先購置機台設備轉為充實營運資金,以因應 S-SiCap™ 量產後帶動的營運擴張及未來成長資金需求。

展望未來,公司對 2026 年營運持續成長抱持審慎樂觀看法,主要動能來自 IoTRAM™ 的強勁需求及 IPD 產品於下半年開始貢獻營收。預期 2027 年,隨著多項新產品導入及 IPD 進一步放量,營運動能將更為明確。長期目標維持三大產品線 (IoTRAM™, S-SiCap™, VHM™) 營收佔比各佔三分之一的結構。

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2. 愛普*主要業務與產品組合

愛普*專注於提供全球客戶客製化記憶體設計及解決方案,核心業務分為三大產品線:IoTRAM™、S-SiCap™ 及 VHM™。

  • IoTRAM™ (物聯網相關業務)
    • 2024Q1 營收為 14.7 億元,佔總營收 70%,季增 30%,年增 72%。
    • 成長動能來自通訊模組 (Connectivity)、穿戴裝置 (Wearable) 及顯示裝置 (Display) 等應用的顯著需求。新世代產品 ApSRAM™ 已有多個專案進入量產,超過十個新案在設計導入中,預期將在未來一兩年內貢獻顯著營收。在標準型記憶體市場供需失衡下,更多客戶轉向採用 IoTRAM™ 以確保供應穩定。
  • S-SiCap™ (矽電容相關業務)
    • 2024Q1 營收為 5.7 億元,佔總營收 27%,年增高達 767%。
    • 成長主要來自矽中介層電容 IPC (Interposer with S-SiCap™) 多項專案進入量產。
    • 分離式矽電容 IPD (Integrated Passive Devices) 預計於 2026 年第二季開始量產,應用於嵌入封裝基板 (embedded in substrate) 及手機主晶片的 LSC (Landside Capacitor),預期量產後需求將快速爬升,成為公司另一營收主力。
  • VHM™ (高頻寬記憶體相關業務)
    • 2024Q1 營收為 5,400 萬元,佔總營收 3%,主要為 NRE 收入。
    • 產品發展已進入第三階段「AI/HPC 產品實現」,應用重心由加密貨幣轉向 AI 加速器。目前有多個量產專案正在開發,包括 1+1 的 VHM™ 及 1+N 的 VHMStack™,並已完成 1+8 的 VHMStack™ 堆疊。預期在執行中專案於未來兩年完成開發驗證後,將進入主流應用量產的第四階段,迎來快速成長,量產時間點預估落在 2027 年底至 2028 年。

3. 愛普*財務表現

  • 關鍵財務指標 (2026Q1)
    • 營業收入:新臺幣 21 億元,季增 12%,年增 115%。
    • 營業毛利:新臺幣 9.7 億元,季增 4%,年增 114%。
    • 毛利率:46%,較上季減少 4 個百分點,主要因高毛利的 VHM™ NRE 收入佔比下降。公司預估未來毛利率將維持在 45% 上下波動。
    • 營業利益:新臺幣 5.9 億元,季增 3%,年增 236%。
    • 營業利益率:28%。
    • 歸屬母公司稅後淨利:新臺幣 6.8 億元,年增 104%。
    • 每股盈餘 (EPS):新臺幣 4.15 元。
    • 擬制調整後 EPS (排除 GDR 匯兌影響):新臺幣 3.65 元。
  • 財務結構與現金狀況
    • 截至 2026Q1,總資產為 156 億元,其中現金及約當現金加上按攤銷後成本衡量的金融資產合計約 116 億元,佔總資產 74%。
    • 負債比率為 23%。
    • 庫存水位約 4 至 5 個月,將依接單狀況動態管理。
    • 合約負債持續增加,反映客戶預付款及 NRE 的正面趨勢。

4. 愛普*市場與產品發展動態

  • 市場趨勢與機會
    • AI/HPC 需求:AI 與高效能運算 (HPC) 的發展,對先進封裝的電源及訊號完整性帶來挑戰,推升了對高密度電容 (S-SiCap™) 的需求。
    • 標準型記憶體短缺:DRAM 市場的供需失衡,促使許多客戶為確保供應鏈穩定,由標準型記憶體轉向採用愛普*的 IoTRAM™ 解決方案。
  • 關鍵產品進展
    • IPC:第二代 IPC 產品的單位容值將提升一倍,目前已在試產階段,並有多個客戶導入設計。
    • IPD:在嵌入封裝基板的應用上,已與主流客戶和機板廠合作超過三年,具備先行者優勢,將於 2026 年第二季量產。同時,應用於手機晶片封裝的 LSC (Landside Capacitor) 也將於同期量產。
    • VHM™:在 AI 加速器應用上,VHM™ 的高頻寬優勢可大幅降低大語言模型 (LLM) 推理成本。領先廠商已將 prefill 和 decode 功能的硬體分離,而 decode 硬體更容易有效利用 VHM™ 的頻寬優勢。

5. 愛普*營運策略與未來發展

  • 長期發展計畫
    • 愛普*的產品佈局鎖定兩大市場:物聯網 (IoT) 與 AI。
    • 物聯網市場:以 IoTRAM™ 和 RFID 為主,強調低功耗特性。
    • AI 市場:以 VHM™ (鎖定記憶體頻寬)、S-SiCap™ (鎖定電源穩壓) 及未來的 IVR (垂直供電) 為主,提供高效能運算最佳方案。
    • 長期目標是實現 IoTRAM™、S-SiCap™、VHM™ 三大產品線營收貢獻各佔三分之一的均衡結構。
  • 競爭定位
    • IoTRAM™:以客製化產品、穩定的供貨與價格,協助客戶規避標準型記憶體市場的劇烈波動,建立長期信賴關係。
    • S-SiCap™:愛普*採用堆疊式 (stack) 電容技術,與台積電的深槽式 (deep trench) 電容技術路線不同,無技術衝突。其技術門檻在於多年的技術積累,以及與客戶、封裝基板廠共同建立的冗長驗證流程,形成先行者優勢。
    • VHM™:提供遠超現有方案的記憶體頻寬,為 AI 推理等應用提供具備成本效益的硬體解決方案。

6. 愛普*展望與指引

  • 營收展望
    • 2026 年:IoT 市場需求持續強勁,加上 IPD 產品自下半年開始貢獻,對全年銷售持續成長抱持審慎樂觀看法。
    • 2027 年:隨著多項 IoT 新產品導入及 IPD 進一步放量,預期營運動能將有更明確的成長支撐。
  • 毛利率指引
    • 預期未來毛利率將維持在 45% 上下,並隨產品組合變化而波動。
  • 機會與風險
    • 主要成長動能:IPC 穩定上量、IPD 於 2026Q2 進入量產、客戶從標準型 DRAM 轉向 IoTRAM™。
    • 短期風險:晶圓代工夥伴力積電的遷廠對 IPC 量產交期有 2-3 個月的短期影響,但公司已與客戶密切合作,將影響降至最低。

7. 愛普* Q&A 重點

Q: 請問 2026 年營收走勢,營收會逐季增加嗎?怎麼看明後年的營收?

A: 目前 IoT 市場需求持續強勁,加上 IPD 產品從今年下半年開始貢獻,對 2026 年整體銷售持續成長抱持審慎樂觀。展望 2027 年,隨著多項 IoT 新產品及 IPD 進一步放量,對明年發展抱持正向期待。後年能見度較有限,但仍審慎樂觀。

Q: 記憶體產能持續吃緊下,力積電遷廠對於出貨的影響已經排除了嗎?

A: 此次遷廠對 IoTRAM™ 量產無實質影響。在 IPC 產品方面,已量產部分的出貨短期內會受到 2-3 個月的影響,但已採取應對措施,對整體營收影響非常有限。新開案及 POC 專案僅受有限影響。

Q: Q1 毛利率下降,怎麼看後續各個季度的毛利率走向?有機會回到五成嗎?

A: 2025Q4 毛利率較高是因 VHM™ 有較多 NRE 收入。預期未來毛利率會隨產品組合變動,在 45% 左右上下波動。

Q: 各產品線短中長期的營收佔比趨勢?

A: 短期內 IoT 應用仍是主要營收來源。隨著 IPC、IPD 持續放量,S-SiCap™ 產品線佔比會逐步提升。中長期 VHM™ 進入量產後,有望成為另一關鍵成長動能。長期目標為三個產品線各佔約 1/3 的看法沒有改變。

Q: AI 造成 DRAM 供給上的排擠,有考慮會調整產品報價來反應成本嗎?

A: 上游晶圓代工和後段產能供給非常緊張,對成本造成壓力。目前已與長期夥伴客戶溝通,尋求合理的價格調整機制,以平衡短期市場波動影響。

Q: S-SiCap™ 產品線大幅成長下,26 年出貨會超過 IoTRAM™ 成為第一大產品線嗎?

A: S-SiCap™ 的營收貢獻會逐步增加,但 2026 年還不會超過 IoTRAM™。IoTRAM™ 仍是今年營收最大來源。

Q: 愛普*研發出來的 S-SiCap™ 與 TSMC 的有什麼不同?會有技術衝突嗎?

A: 愛普*的 S-SiCap™ 採用堆疊式 (stack) 電容,而 TSMC 採用深槽式 (deep trench) 電容。雖然功能相同,但技術路線完全不同,不存在技術衝突。技術門檻主要在於多年的技術積累。

Q: S-SiCap™ 產品線中的 IPC 與 IPD 主要差異為何?何者毛利率比較好?

A: IPC 是含矽電容的矽中介層,面積大,以晶圓方式出貨。IPD 是分離式矽電容元件,可嵌入基板內或獨立放置,以封裝片方式出貨。IPD 生產步驟較複雜,但兩者的毛利率都在公司平均毛利率附近。

Q: 市場說愛普* IPD 拿到了美國一線大廠的大單,而且是獨供。可否說明一下?

A: 愛普*確實收到國際大廠客戶的訂單,是明年 IPD 營收貢獻的來源。但「獨供」的說法不準確。我們可能是第一個完成驗證的供應商,有先行優勢,但客戶可能有其他供應商。

Q: S-SiCap™ 爆發性成長,現有 foundry 產能是否足夠支應?

A: 短期產能能夠符合客戶需求。中長期會與 foundry 協商提升產能。作為 Fabless 公司,主要依賴 foundry 的資本支出,但可能會有風險分攤的商業約定。

Q: 這幾季幾乎都沒有 VHM Wafer 出貨,是因為退出加密貨幣應用市場所致嗎?

A: 我們利用加密貨幣應用來證明 VHM 架構與量產能力。由於市場不確定性高,我們會視時機採取行動,但 AI 加速器才是我們耕耘和發展的主流應用。

Q: GDR 的資金運用目的調整到充實營運資金,是代表公司很看好未來 S-SiCap™ 的成長嗎?

A: 是的,除了 S-SiCap™,也考慮了 VHM™ 的成長。隨著 3D 堆疊供應鏈成熟,設備投資需求降低,而 S-SiCap™ 等產品放量將增加營運資金需求。此次調整是將資金用在未來兩三年對營運成長最關鍵的地方。

Q: 公司 IPD 有做進手機的應用嗎?何時有營收貢獻?

A: 是的,IPD 的 Landside Capacitor (LSC) 應用主要在手機晶片封裝,將在 2026 年第二季進入量產。但此部分總量相較於嵌入基板的應用來得小。

Q: 用 VHM 的 AI 加速器進展如何?

A: 有 VHM 的 AI 加速器產品正在設計中,其中一個項目今年年中會完成 tape out,主要用於雲端。大語言模型推理的 decode 過程高度依賴記憶體頻寬,VHM 的 10 倍頻寬優勢可大幅降低硬體資源需求,是解決 AI 基礎設施產能瓶頸的方法之一。

Q: 如何看待後續 IPD 的競爭?

A: 廣泛的 IPD 市場競爭者很多。若指嵌入基板的應用,這是一個非常狹窄的市場,目前被驗證合格的供應商非常少。未來一定會有競爭對手,但新廠商進入需要很長的驗證時間。

免責聲明

本報告內容使用 AI 技術根據各家公司法說會之影音內容進行摘要整理。本文件的目標是協助讀者快速理解各公司法說會之重點,包括營運狀況、財務表現及未來展望,內容僅供參考,不構成任何投資建議。

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