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1. 同欣電營運摘要
同欣電子 (6271) 於 2026 年 8 月 5 日舉行法人說明會，公布 2026 年第二季營運成果。本季營運表現強勁，主要受惠於產品組合優化及產能利用率提升。
- 營運表現：2026Q2 合併營收為 31.53 億元，季增 11.8%，年增 6.3%。毛利率回升至 31.1%，季增 3.1 個百分點，年增 4.5 個百分點。稅後淨利為 5.21 億元，單季 EPS 為 2.49 元。
- 主要業務成長動能：RF 模組、陶瓷基板與影像感測器三大產品線均實現雙位數的季度成長，抵銷了混合積體電路模組因燃油車市場萎縮帶來的衰退。
- 未來展望：公司預期營運將恢復疫情前的季節性模式，即逐季成長。展望 2026Q3，預估營收將較 2026Q2 實現中個位數 (mid-single digit) 的百分比成長。下半年毛利率目標區間將努力從過去的 25-30% 提升至 30-35%。
2. 同欣電主要業務與產品組合
公司主要業務分為四大產品線，其中汽車相關應用佔比已由過去的三分之二降至 60%。
- RF 模組：2026Q2 營收季增 17%，為成長最強勁的產品線，主要動能來自光纖通訊產品，特別是 800G 光模塊的量產貢獻。
- 陶瓷基板：2026Q2 營收季增 16%。成長動能來自兩方面：車用 LED 頭燈需求未如預期下降，以及成功切入 AI 資料中心應用的雷射 submount 市場。
- 影像感測器 (Image Sensor)：2026Q2 營收季增 16%。主要受惠於 IBGA 產品線加入中國大陸新客戶，帶動出貨量顯著增長。
- 混合積體電路模組 (Hybrid module)：2026Q2 營收季減 8%。此產品線最大宗的應用為燃油車壓力感測器，因燃油車市場持續萎縮，預期此業務將逐步縮減。
3. 同欣電財務表現
- 2026Q2 關鍵財務數據：
- 營收：31.53 億元，季增 11.8%，年增 6.3%。
- 毛利：9.8 億元，毛利率 31.1%。毛利率提升主因為產品組合優化與稼動率提高。
- 營業費用率：約 13%，因營收規模擴大而略有下降。
- 稅後淨利：5.21 億元。
- 每股盈餘 (EPS)：2.49 元，相較 2025Q2 的 0.34 元大幅成長，主因 2025 年同期有較大的匯兌損失。
- 2026 前兩季累計財務數據：
- 營收：59.72 億元，年增 1.6%。
- 毛利率：29.6%，較 2025 年同期的 27.2% 成長 2.4 個百分點。
- 稅後淨利：9.15 億元，年增 40%。
- 每股盈餘 (EPS)：4.37 元，優於 2025 年同期的 3.12 元。
- 資產負債表與資本支出：
- 存貨金額上升至 19.55 億元，主因為部分原物料短缺而增加備料。
- 負債比較 2025 年同期下降至 24.2%。
- 2026 上半年資本支出為 3.76 億元，公司預期未來每年資本支出約維持在 10 億元左右，主要用於設備投資與廠房建置。
4. 同欣電市場與產品發展動態
- 光通訊與 AI 相關產品：
- 800G 光模塊：自 2025 年 12 月開始量產，生產良率持續改善。第二台具備自動對位功能的設備即將進廠，若驗證成功將加速擴產，預計 2027 年將有較大批量生產。終端客戶為北美 CSP 廠商。
- 1.6T 光模塊：持續與客戶密切合作開發中，進度順利。
- RW (晶圓重組) 業務：除了為光通訊模組的 TIA、Driver 等關鍵零組件提供服務外，也切入矽電容 (Silicon Capacitor) 新應用，目前處於樣品認證階段，預計 2027 年開始生產，2028 至 2029 年可望放量。
- AI 伺服器電源：佈局寬能隙半導體，氮化鎵 (GaN) 產品預計在 2026 年底或 2027 年初量產；碳化矽 (SiC) 則專注於 1700V、2300V、3300V 等高壓產品的認證。同時也配合客戶開發用於垂直供電的 IVR (整合式電壓調節器) 模組。
- 陶瓷基板應用拓展：
- 除了現有的 LED 及雷射應用，公司正積極開發將陶瓷基板作為 IC 載板核心層 (core) 的潛力，以其在物理、電氣及散熱特性上的優勢，挑戰玻璃基板。目前已針對高單價、小尺寸應用進行練兵，並與合作夥伴共同推廣給客戶。
5. 同欣電營運策略與未來發展
- 長期成長策略：
- 聚焦高成長領域：將資源集中在光通訊、AI 伺服器電源、寬能隙半導體封裝等高潛力市場。
- 技術升級與自動化：持續投入研發，如將 800G 光模塊組裝從手動對位升級為全自動對位，以提升生產效率與良率。
- 地緣政治風險管理：為滿足客戶「中國+1」的需求，正在菲律賓廠建置一條 MOSFET (DrMOS) 自動化封裝產線，預計 2026 年底完成驗證。
- 競爭優勢：
- 與光模塊客戶擁有長期且緊密的合作關係，從 100G、400G 到 800G/1.6T，建立了深厚的默契與信任。
- 在 RW 製程領域擁有世界級的品質與經驗，成為切入矽電容等高可靠性要求新市場的關鍵。
6. 同欣電展望與指引
- 短期展望 (2026Q3)：營收預期較 Q2 中個位數成長。光纖通訊產品將是成長最快的業務，陶瓷基板與影像感測器也將持續成長。
- 中期展望 (2026 下半年)：毛利率目標區間提升至 30-35%。
- 長期展望 (2027 年)：
- 光通訊業務：客戶展望相當正面，預期將有非常高百分比的成長。
- 影像感測器與陶瓷基板：預期仍會有一定幅度的成長，但能見度尚不明確。
- 混合積體電路模組：將因燃油車市場衰退而持續下滑。
7. 同欣電 Q&A 重點
Q: 公司在 800G 跟 1.6T 模組產品的發展進度與展望？
A: 800G 產品自 2025 年 12 月開始生產，良率逐步提升。第二台具備自動對位功能的機器即將導入，若成功，後續設備將快速引進，預計 2027 年將有較大量的生產。1.6T 產品持續與客戶密切合作開發中。
Q: 公司在光通訊與 AI Server Power 類產品的佈局為何？具體何時會有盈利貢獻？
A:
- 光通訊：主力在 800G/1.6T 收發器，已從過去只做電路組裝，擴展到包含光子 IC 的主動對位組裝。此外，RW 業務也為資料中心短距離收發器的關鍵零組件 (如 TIA、Driver) 提供服務，數量成長快速。
- AI Power：
- 氮化鎵 (GaN)：100V 和 650V 產品正在樣品認證，預計 2026 年底或 2027 年初量產。
- 碳化矽 (SiC)：客戶集中於 1700V、2300V、3300V 等高壓產品認證，放量時間會稍晚。
- IVR：因應 GPU 功耗與速度提升，正與客戶密切配合開發用於垂直供電的 IVR 模組。
Q: 2026Q2 陶瓷基板及 image sensor 成長幅度較大的原因？是哪項產品線？
A:
- 陶瓷基板：原預期下降的車用 LED 頭燈需求持續成長，加上成功切入 AI 資料中心用的雷射 submount，兩者共同帶動成長。
- Image sensor：IBGA 產品線加入了一家新的中國大陸客戶，其成長幅度相當快。
Q: 終端客戶是北美大的 CSP 廠商嗎？進入 CSP 是否已取得進展？
A: 是的，針對 800G 產品，我們的客戶的客戶 (即終端客戶) 是北美的 CSP 供應商。他們在 2025 年初已來訪廠，並對工廠感到滿意，因此我們的客戶從那時起便積極與我們合作開發，並於 2025 年 12 月開始量產。
Q: 公司在光模塊業務的優勢是什麼？處於初期累積經驗還是放大優勢的高速成長期？
A: 我們的優勢在於與客戶設計團隊有非常長期的合作關係，默契非常好。從他們規模還很小時就開始合作，一路從 100G、400G 到現在的 800G/1.6T，主要聚焦於 80 公里以上的長距離光模塊。
Q: 公司如何看光通訊 scale across 的成長性？
A: 原本趨勢是建置大型資料中心 (giga data center)，但考量地緣政治風險，趨勢轉變為分散式、規模較小的資料中心叢集互連，這使得 data center 之間的 scale-across 需求成長速度可能比預期更快。
Q: 車用應用佔比下降的原因為何？第三季及 2027 年各產品的營收展望？
A: 車用佔比下降主因是燃油車壓力感測器業務的衰退速度加快。展望 2026Q3，整體營收預期有中個位數成長，其中光纖通訊產品成長最快。展望 2027 年，光通訊仍將維持快速成長，影像感測器與陶瓷基板也會成長，但能見度尚不如光通訊明確。
Q: 是否可以更新 CPU 產品的進度？
A: 同欣目前沒有做與 processor (CPU) 直接相關的產品。我們專注於 networking 領域，例如 800G/1.6T 收發器，採用的是成熟穩定的 edge coupling 技術。CPU 相關產品量體大，多採用 wafer coupling 等不同製程。
Q: 2026Q2 毛利率回到三成以上，主要是因為光通訊業務的貢獻嗎？下半年毛利率區間是否可看 30-35%？
A: 毛利率上升有兩個原因：一是產品組合優化，高毛利的新產品比重上升；二是稼動率提高。我們努力的目標是將毛利率區間從過去的 25-30% 提升到 30-35%。
Q: 2027 年光通訊業務是否有機會持續翻倍成長？
A: 客戶給的展望相當正面。翻倍不確定，但非常高百分比的成長應該有機會。
Q: RW 生意是否有新的生意可以分享？
A: RW 業務在最大客戶移至中國大陸後曾面臨挫折。現在除了歐洲紅外線影像感測器客戶穩定成長，以及光通訊 TIA/Driver 業務持續增加外，一個重要的新機會是矽電容 (Silicon Capacitor)。因其需埋入主機板，對可靠性要求極高，與我們在影像感測器 RW 的品質要求相當。目前在樣品認證階段，預計 2027 年開始生產，2028-2029 年可望有較大貢獻。
Q: 四大產品別的展望排序？
A: 以成長率來看：第一是 RF 模組 (主要為光纖通訊)，其次是陶瓷基板和 CIS (影像感測器)，兩者成長性差不多。Hybrid 模組則會持續衰退。
Q: 功率元件封裝是否有擴張規劃？擴張類型為何？
A: 目前量產的主要是 SiC 產品，採用 TO247、SOT227 等標準封裝。正應客戶要求擴充更多封裝形式，並開發模組封裝，方向是往 1700V、2300V、3300V 等高壓應用發展。
Q: 關於矽電容業務，客戶是誰？商業模式為何？
A: 我們的客戶是一家美國 IC 設計公司 (fabless)，他們設計矽電容，由 foundry 代工。晶圓交給我們進行 RW 製程處理後，再交貨給他們的客戶，也就是載板廠。
Q: Laser 的 CoS (Chip-on-Submount) 封裝展望如何？是否有機會跨入外置雷射模組代工？
A: 我們在雷射模組中主要扮演 submount (基板) 供應商的角色，提供 230W 導熱係數的氮化鋁基板。這塊市場過去由日本廠商主導，我們成功切入後已有相當程度的成長。
Q: 陶瓷基板有機會做 IC 載板的 core 嗎？
A: 這是我們努力的方向。相較於玻璃基板，陶瓷在物理、電氣與散熱特性上具優勢，但面臨大尺寸與高密度鑽孔的挑戰。我們策略是先從 310x310mm 的小尺寸、高單價應用練兵，同時也與夥伴合作開發 510x515mm 的拼板方案，持續向終端客戶、IC 公司、晶圓代工及載板廠推廣。
Q: 陶瓷基板鑽孔是用雷鑽嗎？會不會密度不夠高？
A: 是用雷射鑽孔，可以鑽到 25 micron 的孔徑。主要挑戰在於高密度鑽孔時的機械強度，但我們認為新的氮化矽 (silicon nitride) 材料可以克服這個問題。
Q: 陶瓷基板是否有機會取代 Silicon Bridge 做的 EMIB？
A: EMIB 需要的線寬線距及 TGV (矽穿孔) 的孔徑都非常小，陶瓷基板並不適合做 EMIB 的 bridge。
Q: 今年資本支出仍以設備投資為主嗎？廠房與設備比例？明年 Capex 如何看待？
A: 各廠區都有擴充需求，所以廠房建置與設備投資都有。目前比例大約一半一半。預期未來每年的資本支出約落在 10 億元上下。
Q: 菲律賓廠 MOSFET 封裝的擴產進度與稼動率？
A: 為滿足客戶「中國+1」需求，正在菲律賓建置一條針對 DrMOS 標準封裝的自動化生產線。目前仍在建線階段，預計 2026 年底進行驗證，量產時間尚未確定。
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