本報告內容使用 AI 技術，根據 台灣證券交易所及櫃買中心法說會之官方影音檔 進行摘要整理。本文件的目標是協助讀者快速理解各公司法說會之重點，包括營運狀況、財務表現及未來展望。
1. 漢磊營運摘要
- 2025 上半年財務表現：合併營收為新台幣 26.62 億元，受產能利用率偏低及折舊費用增加影響，合併毛利率為 -5%，稅後淨損為 4.07 億元，每股盈餘 (EPS) 為 -1.02 元。
- 晶圓代工業務狀況：若單獨看漢磊的晶圓代工業務，2025 上半年營收為 9.9 億元，年減 6.8%。其中，碳化矽 (SiC) 業務年衰退 33%，但衰退幅度已見收斂；氮化鎵 (GaN) 業務則受惠於 AI 伺服器等應用，年成長 11%；矽基 (Si-base) 產品因消費性需求回溫，年成長 8%。
- 下半年及明年展望：公司預期 2025 下半年營運將顯著回溫，相較上半年可望實現 10% 至 20% 的雙位數成長，主要動能來自碳化矽業務的強勁反彈。展望 2026 年，預計將維持相對於 2025 年的雙位數成長。
- 技術與產能規劃：
- 碳化矽 (SiC)：第四代平面型 MOSFET (Planar MOSFET) 技術已完成客戶可靠度測試，效能提升 20%，預計 2025Q4 小量生產。溝槽式 MOSFET (Trench MOSFET) 技術預計 2026Q2 進入量產。
- 產能擴充：現有 6 吋產能為 SiC 每月 5,000 片、GaN 每月 2,000 片。與世界先進合作的 8 吋試產線正在裝機，預計 2026 上半年試產，產能規劃為每月 1,500 片。
2. 漢磊主要業務與產品組合
- 核心業務：漢磊科技（櫃：3707）為一家專業的功率與類比半導體晶圓代工廠 (Power & Analog Semiconductor Foundries)。
- 產品組合分析 (依技術平台，2025 上半年)：
- 化合物功率元件 (SiC & GaN)：佔營收 41%，雖較去年同期的 49% 下滑，但仍是公司未來發展的核心。下滑主因為 SiC 市場需求疲弱。
- 靜態電壓抑制器 (TVS/ESD)：佔比 25%，受惠於消費性電子市場回溫，較去年同期 17% 顯著成長。
- 車用 MOSFET：佔比 19%，較去年同期 14% 提升。
- 快速回復二極體 (FRD)：佔比萎縮至 1%，主要因其市場逐漸被 SiC 二極體取代。
- 產品組合分析 (依應用領域，2025 上半年)：
- 工業用：佔比 42%，維持最大宗。
- 消費性：佔比 30%，顯示需求已從谷底回溫。
- 車用：佔比 22%，因終端市場需求疲弱而較去年同期 28% 下滑。
- 綠能：佔比 6%。
3. 漢磊財務表現
- 關鍵財務數據 (2025 上半年合併財報)：
- 營業收入：新台幣 26 億 6,243 萬元
- 營業毛利：虧損 1 億 3,053 萬元 (毛利率 -5%)
- 營業損益：虧損 4 億 6,364 萬元 (營業利益率 -17%)
- 稅後淨利：虧損 4 億 685 萬元
- 每股盈餘 (EPS)：-1.02 元
- 每股淨值：18.58 元 (截至 2025/6/30)
- 驅動與挑戰因素：
- 挑戰：上半年獲利能力主要受到產能利用率偏低及新設備折舊費用大幅增加的雙重壓力。SiC 業務受到太陽能與電動車市場需求疲軟，以及中國大陸市場內卷導致的價格競爭影響，客戶備貨策略極為保守。
- 成長動能：下半年 SiC 業務預期將有雙位數成長，成為主要復甦動能。GaN 業務受惠於 AI 伺服器與人形機器人等新興應用需求。矽基產品中的 TVS 因 PC、手機等消費市場回溫而穩定成長。
4. 漢磊市場與產品發展動態
- 市場趨勢與機會：
- SiC 價格甜蜜點：管理層指出，SiC 元件與 IGBT 的價差已從過去的 2-3 倍縮小至 1.2-1.5 倍，達到具備高性價比的「甜蜜點」，預期將加速市場滲透率。
- AI 數據中心需求：隨著 AI 伺服器機櫃功耗預計在 2027 年突破 600kW，業界正積極導入 800V 高壓直流 (HVDC) 架構，這將顯著帶動 SiC 與 GaN 功率元件的需求。
- 新興應用拓展：除了電動車與光儲充等傳統應用，客戶正積極將 SiC 與 GaN 導入白色家電、工業機具、伺服器，以及人形機器人等新領域。
- 關鍵產品與技術進展：
- SiC Planar MOSFET：第三代 (Gen3) 已大量量產。第四代 (Gen4) 技術平台已完成可靠度測試，相較 Gen3 效能提升 20%、晶片面積縮小 20%，已有多家客戶導入設計，預計 2025Q4 貢獻少量營收，並於明年成為主力。
- SiC Trench MOSFET：與客戶的共同開發計畫 (JDP) 進展順利，預計 2026Q2 可進入量產。漢磊將採取客戶導入自有技術的合作模式 (port-in)，以規避專利風險。
5. 漢磊營運策略與未來發展
- 長期產能規劃：
- 6 吋產能：目前 SiC 月產能約 5,000 片，GaN 月產能約 2,000 片。
- 8 吋產能：透過與世界先進 (Vanguard) 合作，利用其現有廠房進行轉換，以降低建廠成本。8 吋試產線產能規劃為每月 1,500 片，預計 2026 上半年試產，下半年進行驗證。
- 競爭定位：
- 漢磊是全球少數具備 SiC 大量量產能力的純晶圓代工廠。
- 透過佈局 8 吋產能，漢磊將成為極少數能同時提供 6 吋與 8 吋 SiC/GaN 代工服務的廠商，此舉有助於吸引過去難以觸及的大型 IDM 客戶。
- 客戶策略與合作模式：
- 持續服務現有的中國大陸 Fabless 客戶，並積極拓展非中國區的 IDM 客戶。
- 提供彈性合作模式，除了自有技術平台外，也接受 IDM 客戶導入其自有技術進行代工生產 (port-in)，並確保客戶 IP 的保護。
6. 漢磊展望與指引
- 短期展望 (2025 下半年)：
- 預期整體營收將較上半年成長 10% 至 20%。
- 成長主要來自 SiC 業務的強勁復甦，客戶已開始積極備貨。
- GaN 業務因地緣政治與關稅影響，下半年成長動能尚不明朗，態度較為保守。
- 矽基業務預計將維持緩步成長。
- 中長期展望 (2026 年)：
- 預期全年營收將較 2025 年實現雙位數成長。
- 化合物半導體將是主要的成長引擎，而矽基業務可能持平或小幅衰退。
- 機會與風險：
- 機會：SiC 價格合理化帶動的市場滲透、AI 數據中心與人形機器人等新興應用帶來龐大需求、第四代 SiC 技術平台提升產品競爭力。
- 風險：全球地緣政治不確定性、美國關稅政策對 GaN 業務的潛在衝擊、終端市場（如電動車）需求波動。
7. 漢磊 Q&A 重點
- Q: 關於 12 吋 SiC 基板的應用與看法？A: 12 吋 SiC 基板主要應用於先進封裝，利用其優異的散熱特性，與漢磊的功率元件業務沒有直接關聯。然而，此趨勢對非中國大陸的基板供應商是個好機會，有助於平衡目前由中國主導的供應鏈格局，對整體產業是正面發展。
- Q: 漢磊下半年與明年的展望？A: 2025 下半年營收預計較上半年成長 10% 至 20%，主要由化合物半導體帶動。2026 年預計將維持雙位數的年成長。
- Q: 目前 SiC 與 GaN 的產能規劃、主要客戶與應用為何？A: 產能：6 吋 SiC 月產能 5,000 片，GaN 月產能 2,000 片；8 吋試產線規劃月產能 1,500 片。客戶：包含中國大陸 Fabless 與非中國區 IDM 客戶，非中系 IDM 客戶的量產數量預計將持續增加。應用：從既有的電動車載充電器 (OBC)、太陽能，擴展至電動車主驅逆變器 (Main Inverter)、數據中心 DC-to-DC 轉換器、工業機具及 3300V 以上的高壓產品。
- Q: 第四代 SiC 平面型 MOSFET 的接單狀況？A: 已通過客戶 1,000 小時的可靠度測試，客戶對其效能與良率表現相當滿意。目前已有多個客戶導入，預計今年 Q4 開始小量生產，明年將成為主力產品之一。
- Q: 8 吋廠的資金來源與未來資本支出規劃？A: 目前重點是將 1,500 片的試產線建立起來，並藉此與大型 IDM 客戶接洽。未來的擴產將依據客戶的實際需求進行規劃，目前較難提供具體的長期資本支出數字。
- Q: GaN 在電動車主驅動的應用，以及 Trench 技術的專利問題？A: 澄清：目前進入主驅逆變器的是 SiC，而非 GaN。GaN 在車用領域主要為 OBC 或 DC-to-DC，新的應用動能來自數據中心、無人機及人形機器人。Trench 技術：由於存在較多專利問題，漢磊本身不會主動提供標準平台，但會配合擁有自有專利技術的客戶進行代工。
- Q: 嘉晶在磊晶市場如何面對中國大陸的競爭？A: 雖然中國磊晶廠已打入國際市場，但仍有許多客戶（特別是日系客戶）基於地緣政治考量，尋求非中國的供應鏈解決方案。嘉晶是市場上少數的非中系磊晶廠，有能力爭取這塊市場。
- Q: 產品價格趨勢，以及 8 吋與 6 吋的價差？A: GaN 價格穩定甚至微幅上升。SiC 價格在過去一年大幅下滑後，目前已趨於穩定，再降空間有限。8 吋產品初期價格可能反映面積增益，但未來隨著技術持續升級 (如 Gen5、Gen6)，其價值會提升，價格不會僅是單純的面積倍數關係。
- Q: 8 吋 SiC 產線是建在漢磊廠內還是世界先進？未來的合作模式？A: 產線建置於世界先進，此舉可利用其既有廠房與設備，大幅降低成本。合作模式：初期所有業務將由漢磊主導。未來若有大型 IDM 客戶需要鉅額投資，不排除客戶直接與世界先進合作，但雙方會妥善分工，避免內部競爭。
免責聲明
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