本報告內容使用 AI 技術，根據 台灣證券交易所及櫃買中心法說會之官方影音檔 進行摘要整理。本文件的目標是協助讀者快速理解各公司法說會之重點，包括營運狀況、財務表現及未來展望。
1. 營運摘要
愛普* 2020 年上半年營運顯著好轉，成功轉虧為盈。公司策略轉型成效顯現，專注於高毛利的客製化記憶體（IoT RAM）及 AI IP 授權與設計服務，帶動整體獲利結構改善。
- 財務表現：2020 上半年合併營收 20.35 億元，年增 38%；合併毛利率自去年同期的 14% 提升至 22%。本期淨利達 1.11 億元，EPS 為 1.51 元，相較去年同期的虧損狀況已有大幅改善。
- 策略轉型：公司持續降低標準型 DRAM 業務比重，並成功去化高成本庫存。高毛利的 IoT RAM 營收佔比已提升至近 四成，而 IP 授權與設計服務 的貢獻也逐步發酵。
- 未來展望：公司看好 IoT RAM 將持續成長，並有潛力取代 512Mb 以下的 DRAM 應用市場。長期來看，AI 相關的 3D 堆疊技術 將成為主要成長動能，目標是提供比現有 HBM 技術高出 10 至 100 倍的記憶體頻寬，搶攻高階 AI 與網通市場。
2. 主要業務與產品組合
愛普* 的業務正從標準型記憶體轉向高附加價值的客製化產品與 IP 服務，主要分為三大板塊：
- IoT RAM：此為公司目前客製化 DRAM 的主力，包含客製化 PSRAM 及 Low Power DRAM 產品。應用市場已從過去的功能型手機（Feature Phone）成功轉向附加價值更高的物聯網（IoT）與穿戴式裝置（Wearable），此類應用佔比已接近 四成。公司憑藉其低腳數（low pin count）、低功耗的技術優勢，積極拓展市場。
- AI IP 授權與設計服務 (AI Memory)：此為公司長期發展的核心業務，專注於 3D 記憶體與邏輯晶片堆疊技術。此技術旨在解決 2.5D 封裝（如 HBM）所面臨的頻寬與功耗瓶頸，透過直接堆疊，可實現數百萬級的連接數，大幅提升效能。目前已有來自 NRE、工程服務及少量風險試產的營收貢獻。
- 標準型 DRAM (Standard DRAM)：此業務營收比重將持續下降，公司策略性地減少在此市場的投入，以優化整體毛利率。
3. 財務表現
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關鍵財務數據 (2020 上半年)：
- 營業收入：20.35 億元，年增 38%。
- 營業毛利：4.48 億元，年增 111%，毛利率為 22%。
- 營業淨利：1.09 億元，由去年同期虧損 1.19 億元轉正。
- 本期淨利：1.11 億元，由去年同期虧損 4.37 億元轉正。
- 每股盈餘 (EPS)：1.51 元。
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關鍵財務數據 (2020Q2)：
- 營業收入：10.99 億元，季增 17%，年增 36%。
- 營業毛利：2.64 億元，毛利率提升至 24%。
- 營業淨利：7,902 萬元，季增 163%。
- 本期淨利：7,505 萬元，季增 108%。
- 每股盈餘 (EPS)：1.02 元。
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驅動因素與挑戰：
- 成長驅動：獲利改善主要來自於高毛利客製化產品營收比重提升、IP 設計服務貢獻增加以及高成本庫存去化。
- 財務結構：庫存水位已從去年初的 17 億元降至 10 億元以下 的健康水準（約 2.5-3 個月安全庫存）。現金水位回升至近 9 億元，營運現金流穩定。
- 業外影響：2020Q2 因臺幣升值產生部分匯兌損失。
4. 市場與產品發展動態
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3D 堆疊技術進展：
- 技術定位：愛普* 的 3D 堆疊技術是將 DRAM 與邏輯晶片直接堆疊，屬於真正的 3D 封裝，目標是延伸 HBM 的技術藍圖，滿足 HBM 無法達成的超高頻寬需求（目標為 HBM 的 10-100 倍）。
- 合作與驗證：目前正與多家客戶合作，第一個項目的工程樣品已在公司與客戶實驗室進行驗證。初步結果顯示設計與製程技術大致符合預期，但良率尚待提升。由於是新技術，量產時程不確定性較高。
- 主要應用：初期客戶應用集中在高階 AI、Multi-terabit Networking 等對記憶體頻寬要求極高的領域。這些應用因其效能與頻寬直接掛鉤，具備較高的定價潛力。
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IoT RAM 市場趨勢：
- 市場已從功能型手機轉向物聯網與穿戴式裝置，後者附加價值更高。
- 公司目標是利用其技術優勢，在未來十年內讓 IoT RAM 取代大多數 512Mb 以下的 DRAM 應用。目前正致力於完善生態系，讓客戶能更容易採用其產品。
5. 營運策略與未來發展
- 長期計畫：公司的核心策略是徹底轉型，降低並最終放棄標準型 DRAM 業務，將資源全力投入客製化的 IoT RAM 與高附加價值的 AI IP 兩大成長引擎。短期目標是完成技術驗證與產業佈局，而非營收最大化。
- 競爭定位：愛普* 在 3D 堆疊領域的關鍵優勢在於「客製化」。由於 3D 堆疊要求記憶體與邏輯晶片的尺寸需完全匹配，本質上屬於客製化產品。這與 DRAM 大廠追求標準化、規模經濟的商業模式形成區隔，為愛普* 創造了獨特的市場切入點。
- 合作夥伴：在 3D 堆疊技術方面，目前主要與力積電（PSMC）合作。公司的 IP 可應用於不同晶圓代工廠，並能搭配從 55 奈米到 5 奈米等不同製程節點的邏輯晶片。
6. 展望與指引
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營收趨勢：
- Standard DRAM：預期營收將持續下降。
- IoT RAM：預期將穩定成長。
- AI/IP：在達到經濟規模後，預期將快速成長。
- 獲利展望：隨著高毛利產品組合比重持續拉升，公司預期長期毛利率趨勢將持續向上，但短期可能因產品組合變化而有波動。
- 市場機會：公司認為目前的財務數字距離轉型目標仍有很大空間，尤其看好 3D 堆疊技術在高階 AI 與網通領域的龐大潛力，有機會切入國際大廠的未來技術藍圖。
7. Q&A 重點
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Q: 公司的 IoT RAM 是什麼樣的架構？未來市場潛力如何？
A: IoT RAM 主要由 1T SRAM 及部分 Low Power DRAM 組成。過去產品容量約在 128Mb 至 256Mb，未來將朝 512Mb 發展，並有潛力取代 512Mb 以下的 DRAM 應用市場。
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Q: 3D 堆疊技術合作的晶圓代工廠是哪家？搭配的邏輯製程是幾奈米？
A: 目前主要合作對象是力積電（PSMC）。搭配的邏輯製程範圍很廣，從成熟的 55 奈米到先進的 5 奈米都有。部分應用更重視記憶體頻寬而非邏輯速度，因此成熟製程也有其應用機會。
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Q: 3D 堆疊技術的良率何時能提升至滿意水準？
A: 此為新技術，時程不確定性高，公司內部有目標，但不便對外透露。
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Q: 3D 堆疊技術合作的記憶體容量多大？力積電的製程技術是否會成為限制？
A: 目前看到的應用容量約在 1GB 到 4GB 之間。力積電現有的 25 奈米製程已足夠使用，未來也會有更新的技術，因此目前未受限制。
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Q: 公司的 IP 是否只能搭配力積電的 DRAM？
A: 公司的 IP 可在任何一家晶圓代工廠使用，客戶可以自由搭配不同來源的 DRAM。
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Q: 公司的 3D 堆疊技術與 HBM 的頻寬差異為何？
A: 如果將 HBM2 的頻寬定為 1，HBM2E 約為 1.4，HBM3 約為 2。而我們的技術目標是達到 10 到 100 的水準，這是顯著的差異。
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Q: AI IP 的收費模式為何？
A: 長期目標是收取 IP 授權費。但短期內，因商業模式仍在建立，部分客戶傾向直接購買整合後的產品，因此目前也有銷售整合產品的營收模式。
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Q: 公司的技術既然能大幅提升頻寬，是否代表客戶可使用較舊的製程來降低成本，從而創造定價空間？
A: 是的，確實有這樣的機會。如果應用場景的主要瓶頸是頻寬，那麼我們的技術就能創造極高的價值，公司也因此擁有較大的定價空間。這也是我們初期專注於此類應用的原因。
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Q: 3D 堆疊良率改善的瓶頸是否在 TSV 技術？
A: 良率涉及的工程細節繁多，不便透露具體內容。
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Q: 為何 DRAM 大廠不做類似的 3D 堆疊技術，而讓愛普* 有機會？
A: 關鍵在於「客製化」。DRAM 產業依賴標準化來實現規模經濟，而我們的 3D 堆疊技術因需匹配邏輯晶片尺寸，本質上是客製化產品，不符合大廠的商業模式。對我們而言，即使是小規模的市場也已足夠大。
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Q: 公司在 AI 記憶體領域的競爭對手是誰？
A: 這是一個相當新的領域，目前還沒有看到明顯的直接競爭對手。我們的目標不是取代 HBM，而是服務 HBM 無法滿足的超高頻寬市場。
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Q: 公司對標準型記憶體（Commodity/Specialty）市場的看法？
A: 公司的策略是降低並最終放棄這塊市場，全力專注於客製化產品與 IP。
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Q: 除了 AI，還有哪些終端應用是 3D 堆疊技術的目標市場？
A: 除了 AI（包含雲端與邊緣運算），Networking（網通） 也是一個重要方向，其對頻寬的要求甚至更高，屬於更長期的應用。
免責聲明
本備忘錄之數據及陳述根據現有公開資訊與初步檢核，可能因實際財務報表或管理層後續公告更新資訊而調整。本文件僅作為參考之用，不構成投資建議。
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