本報告內容使用 AI 技術，根據 台灣證券交易所及櫃買中心法說會之官方影音檔 進行摘要整理。本文件的目標是協助讀者快速理解各公司法說會之重點，包括營運狀況、財務表現及未來展望。
1. 營運摘要
力成科技 2016 年第三季營運表現強勁，營收及毛利率均顯著成長。公司單季及 9 月單月營收雙雙創下歷史新高，毛利率亦達到 2011 年以來的高點。
- 財務表現：2016Q3 合併營收達 127.57 億元，季增 12.7%，年增 18.6%。毛利率為 22.5%，較上季增加 1 個百分點，較去年同期增加 3.3 個百分點。稅後 EPS 為 1.70 元，季增 17.2%，年增 19.7%。
- 主要成長動能：第三季的成長主要來自 DRAM 與 Flash 封裝業務 的強勁需求。DRAM 受益於市場供給緊張及價格上漲，而 Flash 則因智慧型手機高容量 eMCP/eMMC 及 SSD 滲透率提升而需求旺盛。
- 資本支出與擴充：2016 年資本支出預算約為 150 億元，主要用於擴充 Bumping、覆晶 (Flip-Chip) 產能，以及建置 Panel-level Fan-Out (面板級扇出型封裝) 新技術產線。西安廠產能持續開出，成為標準型 DRAM 業務的重要成長動力。
- 第四季展望：公司對第四季展望審慎樂觀，預期營收將維持低個位數的季成長。市場需求依然穩健，尤其在 DRAM 與 Flash 領域，但邏輯產品可能因晶圓供應限制而成長趨緩。
2. 主要業務與產品組合
力成科技的核心業務為半導體封裝與測試服務，產品應用涵蓋記憶體 (DRAM、Flash) 及邏輯晶片。
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業務營收佔比 (2016Q3)：
- 依服務類型：封裝佔 77%，測試佔 23%。公司表示未來將增加對測試業務的投資。
- 依產品類型：Flash 佔 38%，DRAM 佔 35%，邏輯晶片佔 27%。
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各產品線表現 (2016Q3)：
- DRAM：營收季增 17.0%，年增 34.7%，成長最為強勁。主要動能來自 Mobile DRAM、標準型 DRAM (西安廠貢獻顯著) 及利基型 DRAM 的需求。
- Flash：營收季增 12.2%，年增 7.0%。受惠於智慧型手機高容量 eMCP/eMMC 需求，以及 SSD 在資料中心與企業級應用的滲透率提升。公司在高階堆疊技術 (8-die stack 以上) 具備領先優勢。
- 邏輯晶片：營收季增 8.3%，年增 18.4%。高階封裝業務因產能調配及客戶選擇而持平，傳統封裝則持續成長。第四季展望因先進製程晶圓供應緊張而較為保守。
3. 財務表現
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2016Q3 關鍵財務數據：
- 營業收入：127.57 億元
- 營業毛利 / 毛利率：28.7 億元 / 22.5%
- 營業淨利 / 淨利率：21.5 億元 / 16.9%
- 歸屬母公司稅後淨利：13.28 億元
- 每股稅後盈餘 (EPS)：1.70 元
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2016 前三季累計表現：
- 營業收入：346.93 億元，年增 14.0%。
- 毛利率：21.2%，較去年同期增加 2.6 個百分點。
- 每股稅後盈餘 (EPS)：4.36 元，年增 20.4%。
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財務驅動與挑戰：
- 毛利率提升：主要受益於產能利用率提高 (封裝約 85-90%)、產品組合優化 (高毛利的 Bumping 業務成長) 及持續的成本管控。子公司如新加坡廠及大陸廠營運亦好轉。
- 業外損失：第三季業外淨損 1.28 億元，主因為美元計價貨款產生之匯兌損失。
- 資本支出：2016 全年資本支出預估為 150 億元，前三季已支出約 120-130 億元，導致現金部位從前一季的 180 億元降至 157 億元。
- 折舊費用：第三季折舊費用約 22 億元，全年預估約 86 億元。
4. 市場與產品發展動態
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市場趨勢與機會：
- 半導體產業景氣：全球及台灣半導體市場展望樂觀，優於年初預期。IC Insights 預估 2016 年全球半導體產值將成長 1%，工研院則預估台灣半導體產業可成長 7.2%。
- 記憶體市場：DRAM 與 NAND Flash 市場均呈現供給緊張的局面。DRAM 合約價持續上漲，NAND Flash 則因高容量手機及 SSD 需求強勁而供不應求。
- 先進封裝技術：隨著摩爾定律趨緩，異質整合 (Heterogeneous Integration) 成為趨勢，帶動 Fan-Out 等先進封裝技術的需求。
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關鍵技術與產品發展：
- Panel-level Fan-Out：公司投入 約 5,000 萬美元 建置全球第一條面板級 (510mm x 510mm) Fan-Out 產線，目標是挑戰高階 SiP (系統級封裝) 市場，整合邏輯與記憶體晶片，而非僅用於低成本的低腳數邏輯產品。預計 2017Q1 完成製程建立，2017Q2 進入小量生產。
- Bumping 與 Flip Chip：產能持續擴充，台灣 Bumping 產能達 6.4 萬片/月，新加坡 1 萬片/月，稼動率皆處於滿載。
- 3D NAND 封裝：公司已開始量產 3D NAND 產品，其封裝流程與 2D 相似，但對機台精密度要求更高。力成已與韓系廠商外的所有主要 NAND Flash 供應商合作。
5. 營運策略與未來發展
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長期發展計畫：
- 積極投資先進技術：公司在 2015 年放緩資本支出以改善成本結構後，2016 年轉為積極投資，以掌握未來 2-3 年封裝技術的轉變，特別是在 Fan-Out、Bumping 及高階堆疊技術。
- 擴充產能與廠房：透過購買景陽廠、茂矽廠房及科學園區廠房，為未來成長預備空間。西安廠將持續擴充，目標產能為每月 1 億顆以上。
- 維持穩定獲利：策略重心在於提升 EPS (每股盈餘)，而非追求極大化毛利率。目標是將毛利率維持在 20% 以上 的穩定水準，並透過擴大營收規模來提升整體獲利。
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競爭定位：
- 技術領先：在高階 Flash 堆疊技術 (8-die stack 以上佔比近 50%) 及 Panel-level Fan-Out 技術上具備領先優勢。
- 客戶關係：與全球主要記憶體及邏輯晶片大廠 (韓系除外) 建立穩固的合作關係。
6. 展望與指引
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2016Q4 財務預測：
- 營收：預期將較第三季低個位數成長。
- 成長動能：主要來自 DRAM 與 Flash 業務的持續成長。
- 潛在風險：邏輯晶片業務可能因 28 奈米等先進製程的晶圓供應緊張，而僅能持平或微幅成長。
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2017 年展望：
- 資本支出：預計恢復至每年 80-100 億元的常態水準，以支持技術發展與產能擴充。
- 新技術貢獻：Panel-level Fan-Out 預計於 2017Q2 開始小量生產，為長期成長增添動能。
7. Q&A 重點
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Q: 2016Q3 的折舊費用是多少？
A: 第三季折舊費用約 22 億元，預估全年約為 86 億元。
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Q: 第三季的成長動能主要來自 Bumping 嗎？產品應用為何？
A: 成長來自整體封裝業務，Bumping 是其中一部分。Bumping 產品應用涵蓋 DRAM (高速產品) 及邏輯晶片 (智慧型手機、WiFi、Modem)。整體而言，DRAM 業務是主要成長來源。
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Q: 董事長於 8 月出售持股，是否有退休計畫？
A: 此為個人財務規劃，股票轉讓對象為金士頓集團內部成員，集團總持股未減少。目前沒有退休計畫。
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Q: 近期公告取得營建工程設施，是否為額外的資本支出？
A: 此為 2016 年 150 億元資本支出計畫的一部分，用於購買景陽廠、茂矽廠房及科學園區廠房等，以擴充未來營運空間。
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Q: 第四季營收成長的具體幅度？
A: 預期是低個位數 (low single-digit) 的季成長。
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Q: 第三季及第四季的產能利用率？
A: 第三季封裝產能利用率約 85-90%，測試約 80-85%。第四季預期會隨營收微幅提升。
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Q: 第三季毛利率創高的原因？未來是否能維持？
A: 毛利率提升是因持續的成本降低、產品組合優化 (高毛利產品增加) 及產能利用率提升。未來目標是將毛利率維持在 20% 出頭的穩定水準，並專注於提升 EPS。
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Q: Bumping、Flip Chip、西安廠的產能現況及 Fan-Out 的時程？
A:
- Bumping：台灣 6.4 萬片/月，新加坡 1 萬片/月，皆近滿載。
- Flip Chip：產能已擴充至 1,900 萬顆/月，稼動率近九成。
- 西安廠：目前月產能約 5,000 萬顆，年底達到 1 億顆的目標將稍微延後，但客戶已同意後續擴充計畫。
- Fan-Out：預計 2017Q2 開始為客戶進行小量生產。
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Q: Fan-Out 技術目標的產品市場為何？
A: 目標是高階的 SiP (系統級封裝) 應用，挑戰將邏輯與記憶體等多種晶片整合的「More than Moore」領域，而非僅是針對低腳數邏輯晶片的低成本 eWLP 方案。
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Q: 明年的資本支出計畫、3D NAND 的進展與外包機會？
A:
- 2017 年資本支出：預計每年平均投入 80-100 億元。
- 3D NAND：已開始為現有客戶量產，技術上沒有太大問題。
- 外包機會：力成與除韓系廠商外的所有 NAND Flash 大廠皆有合作。韓系廠商外包訂單不穩定，從策略上並非公司優先爭取的目標。
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Q: Bumping 業務中，記憶體與邏輯產品的佔比？
A: 記憶體約佔 55-60%，邏輯晶片約佔 40-45%。
免責聲明
本備忘錄之數據及陳述根據現有公開資訊與初步檢核，可能因實際財務報表或管理層後續公告更新資訊而調整。本文件僅作為參考之用，不構成投資建議。
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